特許

J-GLOBAL ID：200903096128312598

エピタキシャル下地基板及びエピタキシャル基板

発明者： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  小田 修 ,  中村 幸則
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-387772
公開番号（公開出願番号）：特開2002-274996
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】反り量が抑制された新規なエピタキシャル基板を得るための、エピタキシャル下地基板を提供するとともに、このエピタキシャル下地基板を利用して得たエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】サファイア基板などから構成される基板1上に、らせん転位密度が1×108/cm2以下の、少なくともAlを含有するIII族窒化物緩衝膜2を形成する。次いで、このIII族窒化物緩衝膜2上に、III族窒化物下地膜3を形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶材料からなる基板上と、この基板上に形成された、少なくともAlを含み、らせん転位密度が1×108/cm2以下のIII族窒化物膜とを具えることを特徴とする、エピタキシャル下地基板。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/38 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

Fターム (24件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE13 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EF03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA67 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052GC06 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 単結晶成長用基体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-177104   出願人：京セラ株式会社
• 表面弾性波装置およびその基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-256095   出願人：日本碍子株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-292320   出願人：松下電子工業株式会社
• ホウ素含有窒化アルミニウム薄膜および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-041687   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体の製造方法及び半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-143868   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-050939   出願人：住友金属工業株式会社
• 化合物半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-050946   出願人：住友金属工業株式会社