特許
J-GLOBAL ID:200903030073176095
長波長帯面発光レーザ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
光石 俊郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-214334
公開番号(公開出願番号):特開平9-064455
出願日: 1995年08月23日
公開日(公表日): 1997年03月07日
要約:
【要約】【課題】 高反射率反射鏡および電流狭窄層を有する長波長帯面発光レーザを提供する。【解決手段】 活性層及びクラッド層を、一対の光反射鏡で挾んで構成したInP基板19上の面発光レーザにおいて、前記光反射鏡の内少なくても基板に近い側の光反射鏡を、半導体薄膜と、Alを構成元素とする半導体を酸化してできる薄膜とを交互に積層してInPとAlAsSb酸化物とを交互に積層してなる第一光反射層18を構成する。
請求項(抜粋):
活性層及びクラッド層を、一対の光反射鏡で挾んで構成したInP基板上の面発光レーザにおいて、前記光反射鏡の内少なくても基板に近い側の光反射鏡を、半導体薄膜と、Alを構成元素とする半導体を酸化してできる薄膜とを交互に積層して構成することを特徴とする長波長帯面発光レーザ。
引用特許:
審査官引用 (6件)
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面発光半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-169923
出願人:日本電信電話株式会社
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波長多重面型発光素子の作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-002455
出願人:日本電気株式会社
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面発光半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-132199
出願人:日本電信電話株式会社
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面型光半導体素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-140164
出願人:日本電気株式会社
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特開昭63-046788
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特開昭59-036988
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