集積回路の製造における銅被覆のためのバリア層

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358692
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231723
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】導電性であるが有効なバリア層を有する集積回路を提供する。【解決手段】本発明によれば、非晶質状態に形成された耐熱金属シリコン窒化化合物のような、耐熱金属シリコン化合物であるバリア層20が提供される。バリア層は、比較的低い組成比のシリコン、及び、もし存在すれば窒素を有し、薄膜の非晶質形態によってもたらされる高い拡散バリア性と組み合わさった、低い比抵抗を提供する。バリア層の開示された例は、タンタル、シリコン及び窒素の化合物である。バリア層20は、銅被覆22の下層として使用することができる。また、バリア層は、強誘電性コンデンサの下部プレートの一部または全てに使用することができる。

請求項（抜粋）：

基板の半導体表面に形成された集積回路構造体であって、表面近傍に形成され、その中に開口部を有する第一絶縁層、第一絶縁層の開口部内に配され、耐熱金属及びシリコンの化合物を含み、耐熱金属及びシリコンの合計に対するシリコンの組成比が約20%以下であり、実質的に非晶質であるバリア層、及びバリア層上の第一絶縁層の開口部内に配された金属導体、を含む、上記集積回路構造体。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 , C23C 14/06 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 27/105

FI (5件)：

C23C 14/06 E , H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 Z , H01L 21/88 M , H01L 27/10 444 B

Fターム (54件)：

4K029AA06 , 4K029BA52 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029DB03 , 4K029DB05 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104DD39 , 4M104DD42 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH05 , 5F033HH11 , 5F033HH30 , 5F033HH32 , 5F033JJ04 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033LL09 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP16 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033WW04 , 5F033XX28 , 5F083GA25 , 5F083HA02 , 5F083JA15 , 5F083JA35 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR06 , 5F083PR22 , 5F083PR25 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (4件)

バリヤメタル層及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-176723 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-246690 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-125758 出願人：株式会社東芝

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