特許
J-GLOBAL ID：200903073862909472

半導体装置

発明者：
赤堀 孝

赤堀 孝 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140584
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330075
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 Cuを配線材料として用いる場合に、絶縁膜へのCuの拡散を抑えること。【解決手段】 CF膜21〜24により絶縁膜を形成し、このCF膜21〜24の上に、Ti層とTiC層とからなる密着層29を介してCu配線層25,26を形成する。CuはCF膜21〜24へは拡散していかないので、CF膜21〜24へのCuの拡散が原因となる素子のダメ-ジが抑えられ、半導体装置の質を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたフッ素添加カ-ボン膜からなる絶縁膜と、 このフッ素添加カ-ボン膜の上に形成された銅からなる配線層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/314
FI (2件)：
H01L 21/88 M ,  H01L 21/314 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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