特許
J-GLOBAL ID：200903030103242675

半導体装置およびその製造方法

発明者：
中野 佑紀

中野 佑紀 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (6件)： 吉田 稔 ,  田中 達也 ,  仙波 司 ,  古澤 寛 ,  鈴木 泰光 ,  臼井 尚
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-063996
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224365
出願日： 2008年03月13日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：
【課題】絶縁耐圧の向上を図ることが可能なトレンチ構造を有する半導体装置およびそのの製造方法を提供すること。【解決手段】 第1n型半導体層11と、第2n型半導体層12と、p型半導体層13と、p型半導体層13を貫通して第2n型半導体層12に達するトレンチ3と、トレンチ3の表面に沿って、トレンチ3の底部3aおよび側部3bに形成された絶縁層5と、この絶縁層5により第2n型半導体層12およびp型半導体層13と絶縁されており、少なくとも一部がトレンチ3内部に形成されたゲート電極と、p型半導体層13上に、かつ、トレンチ3の周囲に形成されたn型半導体領域14と、を備えた半導体装置の製造方法であって、トレンチ3に、スパッタリングにより、絶縁層5の少なくとも一部を形成する工程を有する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
第1の導電型をもつ第1半導体層と、 この第1半導体層上に設けられ、上記第1の導電型と反対の第2の導電型を持つ第2半導体層と、 この第2半導体層を貫通して上記第1半導体層に達するトレンチと、 上記トレンチの表面に沿って、上記トレンチの底部および側部に形成された絶縁層と、 この絶縁層により上記第1半導体層および上記第2半導体層と絶縁されており、少なくとも一部が上記トレンチ内部に形成されたゲート電極と、 上記第2半導体層上に、かつ、上記トレンチの周囲に形成された上記第1の導電型をもつ半導体領域と、 を備えた半導体装置の製造方法であって、 上記トレンチに、スパッタリングにより、上記絶縁層の少なくとも一部を形成する工程を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L29/78 658F ,  H01L29/78 653A
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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