特許
J-GLOBAL ID：200903030117806830
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003628
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195415
出願日： 1995年01月13日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の交換を容易にし、さらに、バンプ接続部の長寿命化を図る半導体集積回路装置を提供する。【構成】 実装基板2の厚さよりも遙に薄く形成された半導体素子1がはんだバンプ3を介して直接実装基板2に接続されているものであり、半導体素子1上の電極において、少なくとも最外周部のバンプ接続を行わない全ての電極が、補強用はんだバンプ4を介して直接実装基板2に接続されている。
請求項（抜粋）：
半導体素子がバンプを介して実装基板に接続される半導体集積回路装置であって、前記実装基板の厚さよりも遙に薄く形成された半導体素子が前記バンプを介して直接前記実装基板に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60 321
