特許

J-GLOBAL ID：200903030179775699

無電解多層めっき皮膜が形成された電極及びその製造方法

発明者： 塩川 和彦 ,  松本 雄
出願人/特許権者： エヌ・イーケムキャット株式会社
代理人 (1件)： 高畑 靖世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-176731
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358164
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】 電極間の皮膜厚のバラツキを抑え、電極基部表面への密着性が高く、他の電子部品との間に高い接続強度を有する皮膜が形成された半導体ウエハー上の電極、及び前記電極の製造方法を提供する。【解決手段】 電極基部表面に、無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、無電解金めっき皮膜の順に形成させた半導体ウエハー上の電極にする。並びに、半導体ウエハー上の電極基部表面に、無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、無電解金めっき皮膜の順にめっきする。

請求項（抜粋）：

電極基部表面に、無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、無電解金めっき皮膜の順に形成された半導体ウエハー上の電極。

IPC (4件)：

H01L 21/60 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/52 ,  H01L 21/288

FI (5件)：

C23C 18/16 B ,  C23C 18/52 B ,  H01L 21/288 N ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/92 604 M

Fターム (16件)：

4K022AA02 ,  4K022AA05 ,  4K022AA41 ,  4K022BA03 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA18 ,  4K022BA36 ,  4K022CA06 ,  4K022DA01 ,  4K022DA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104DD53 ,  4M104FF13 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ボンディング部のメッキ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-131573   出願人：株式会社ワールドメタル
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-214232   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体素子の電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-015188   出願人：松下電器産業株式会社