特許
J-GLOBAL ID：200903030202239058

ELO用III族窒化物半導体基板

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について

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角谷 茂明

角谷 茂明 について

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浅井 圭一郎

浅井 圭一郎 について

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田中 光浩

田中 光浩 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-178044
公開番号（公開出願番号）：特開2003-002796
出願日： 2001年06月13日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：
【要約】【課題】膜厚の大小に依存することなく表面粗さを抑制したIII族窒化物膜を作製するための、ELO用III族窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】サファイア単結晶などからなる基板21上に、低温バッファ層を介することなく、少なくともAlを含むIII族窒化物下地層23を直接的に形成する。次いで、下地層23上にSiO2などからなるパターン層24を形成する。
請求項（抜粋）：
所定の基材と、この基材上に形成された、少なくともAlを含むIII族窒化物下地層とを具えることを特徴とする、ELO用III族窒化物半導体基板。
IPC (7件)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (7件)：
C30B 29/38 D ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (29件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030CA04 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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