プラズマエッチング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-123496
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335611
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、酸化シリコンおよび窒化シリコン膜のプラズマエッチングにおける、エッチング特性のウェハ内均一性を向上することにある。【構成】本発明は、フルオロカ-ボンガス・ハイドロフルオロカ-ボンガスの内の少なくとも1つ以上のガスとHeの混合ガスにより構成される。【効果】本発明により、酸化シリコンおよび窒化シリコン膜のプラズマエッチングにおける、エッチング特性のウェハ内均一性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

処理室内に導入されたガスをプラズマ化し、該ガスプラズマにより処理室内に設置された試料をエッチング処理するプラズマエッチング方法において、前記ガスとしてフルオロカ-ボン(CxFy:x=1〜6 y=4〜12)又はハイドロフルオロカ-ボン(CxHyFz:x=1〜6 y=1〜12 z=1〜12)の内少なくとも1つ以上とHeの混合ガスを用いることを特徴とするプラズマエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (8件)

ドライエツチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-244394 出願人：ミツミ電機株式会社
特開平4-162721
特開昭64-061023

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