特許

J-GLOBAL ID：200903030226979451

片面鏡面ウェーハおよびその製造方法

発明者： 伝田 正 ,  畑野 桂司 ,  高石 和成
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-242287
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087521
出願日： 2002年08月22日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】両面研磨ウェーハの利点を有しながら、表裏両面を容易に判別でき、ウェーハ保持板のウェーハ保持面からウェーハを容易に剥がせる片面鏡面ウェーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハWの表面が鏡面で、その裏面の粗さを鏡面と同じ程度まで高めた片面鏡面ウェーハとしたので、ウェーハ裏面に対しての有機物およびパーティクルなどの付着、金属汚染が発生しにくく、ウェーハ表面の平坦度が高く、しかもウェーハ表裏両面の判別が容易で、例えばデバイス工程に配備された真空チャック板のチャック面からウェーハを容易に剥がすことができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

表面が鏡面で、裏面の粗さがRaで500〜5000オングストロームである片面鏡面ウェーハ。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B24B37/04

FI (2件)：

H01L21/304 621A ,  B24B37/04 F

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AB01 ,  3C058AB06 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 両面研磨ウェーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-021035   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 片面鏡面ウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-054804   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
• 半導体ウエーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-316290   出願人：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社, 直江津電子工業株式会社, 三益半導体工業株式会社
• 半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-199561   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社