半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-055703
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252236
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】ダイシングによって生じる半導体チップへの銅の付着や半導体チップに付着した銅の素子領域への拡散を防止する。【解決手段】リソグラフィ工程の露光時に用いる位置合わせマーク15を銅又は銅を主成分とした配線材料を用いて形成する場合、位置合わせマーク全体をダイシングによって切断され得る切断領域13外の領域に形成する。

請求項（抜粋）：

リソグラフィ工程の露光時に用いる位置合わせマークを銅又は銅を主成分とした配線材料を用いて形成する半導体装置の製造方法であって、前記位置合わせマーク全体をダイシングによって切断され得る切断領域外の領域に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-344732 出願人：株式会社東芝
特開平4-315446
特開昭61-166129

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