半導体シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-343297
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173956
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】研磨速度を維持しつつ金属汚染、特に銅汚染を回避することのできる半導体シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法を提供する。【解決手段】研磨剤成分にアミノ基を1つ有するアミン及びニトリロトリ酢酸(NTA)よりもキレート化合物生成能が大きなキレート剤を添加するようにした。

請求項（抜粋）：

研磨剤成分にアミノ基を1つ有するアミン及びニトリロトリ酢酸(NTA)よりもキレート化合物生成能が大きなキレート剤を添加することを特徴とする半導体シリコンウェーハ研磨用研磨剤。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14

FI (5件)：

H01L 21/304 622 C , H01L 21/304 622 D , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 M

Fターム (5件)：

3C058AA07 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (6件)

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審査官引用 (5件)

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