特許
J-GLOBAL ID：200903030398049855
電界型電子放出素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
曾我 道照
, 曾我 道治
, 古川 秀利
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-087543
公開番号（公開出願番号）：特開2005-276601
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】カソード電極とゲート電極との間の絶縁耐圧が充分に確保され、電子放出の効率が高く、高密度に集積された電界型電子放出素子を提供することである。また、その電界型電子放出素子を製造する方法を提供する。【解決手段】電界型電子放出素子は、基板上に形成されたカソード電極、開口がカソード電極上に位置する孔を有し、基板上に形成された絶縁膜、孔の開口が囲繞されるように絶縁膜上に形成されたゲート電極およびカソード電極から林立するように孔内に成長された複数のカーボンナノチューブを有する電界型電子放出素子において、複数のカーボンナノチューブは、孔の内側壁から所望の距離以上離れて林立している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたカソード電極、開口が上記カソード電極上に位置する孔を有し、上記基板上に形成された絶縁膜、上記孔の開口が囲繞されるように上記絶縁膜上に形成されたゲート電極および上記カソード電極から林立するように上記孔内に成長された複数のカーボンナノチューブを有する電界型電子放出素子において、
上記複数のカーボンナノチューブは、上記孔の内側壁から所望の距離以上離れて林立していることを特徴とする電界型電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
5C127AA01
, 5C127BA13
, 5C127BA15
, 5C127BB07
, 5C127CC03
, 5C127DD08
, 5C127DD63
, 5C127DD69
, 5C127DD99
, 5C127EE02
, 5C127EE12
, 5C135AA13
, 5C135AA15
, 5C135AB07
, 5C135AC01
, 5C135AC03
, 5C135HH02
, 5C135HH12
