半導体素子のバンプ形成方法と半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-273016
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115912
出願日： 1995年10月20日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】半導体素子のバンプに関し、疲労破壊に強いバンプを容易に形成することで半導体素子としての生産性向上を図る。【解決手段】電極パッドにバンプが形成された半導体素子の該バンプ27を、前記電極パッド11a 側と他端側に挟まれた中央部を該各端面より細く形成して構成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子の電極パッド形成面に所要バンプの高さより薄い第1の高分子樹脂層を形成した後、該第1の高分子樹脂層の各電極パッドと対応するそれぞれの位置に電極パッド側を該電極パッドサイズに対応する大きさの拡大側とするテーパ状の第1のスルーホールを形成する工程と、該第1のスルーホールをレジストで充填する工程と、上記第1の高分子樹脂層に該第1の高分子樹脂層への積層で上記所要バンプの高さになり得る厚さの第2の高分子樹脂層を形成した後、該第2の高分子樹脂層の上記第1のスルーホールと対応するそれぞれの位置に該第1のスルーホール側を該第1のスルーホールの開口サイズと等しい大きさの縮小側とする逆テーパ状の第2のスルーホールを形成する工程と、上記レジストを除去した後に上記第1のスルーホールと該第2のスルーホールとで形成される中央部が細いスルーホールにはんだを充填せしめる工程と、を含むことを特徴とする半導体素子のバンプ形成方法。

FI (4件)：

H01L 21/92 602 G , H01L 21/92 602 J , H01L 21/92 604 A , H01L 21/92 604 S

引用特許：

出願人引用 (5件)

半田バンプ形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-063682 出願人：デュポン株式会社, 日本碍子株式会社
特開平4-217324
バンプ形成方法及びバンプ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-034284 出願人：ソニー株式会社

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