特許
J-GLOBAL ID：200903030402268516

セラミックコンデンサの製造方法

発明者：
中山 雅文

中山 雅文 について

, 
西村 勉

西村 勉 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-059447
公開番号（公開出願番号）：特開2008-226941
出願日： 2007年03月09日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】セラミックコンデンサの電極切れを防ぎ、コンデンサ容量の低下を防ぐことを目的とする。【解決手段】複数のセラミック層4と、卑金属ペーストを焼結した複数の内部電極層3とを交互に積層して積層体1を形成し、この積層体1を低酸素濃度雰囲気の焼成炉内にて焼成する焼成過程を有するセラミックコンデンサの製造方法において、前記焼成過程は、加熱開始ポイントから卑金属ペースト焼結近傍ポイントに達する第一エリアと、前記卑金属ペースト焼結前ポイントから加熱最高温度ポイントに達する第二エリアと、前記最高温度ポイントから降温する第三エリアとを備え、前記第二エリアの昇温速度は前記第一エリアの昇温速度よりも速くしたので、内部電極層3における電極切れの発生を低減することができ、コンデンサ容量の低下を防ぐことが可能となる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
セラミック層と、卑金属ペースト製の内部電極層とを交互に積層して積層体を形成し、次にこの積層体を低酸素濃度雰囲気の焼成炉内にて焼成する焼成過程を有するセラミックコンデンサの製造方法において、前記焼成過程は、加熱開始ポイントから卑金属ペースト焼結前ポイントに達する第一エリアと、 前記卑金属ペースト焼結前ポイントから加熱最高温度ポイントに達する第二エリアと、 前記最高温度ポイントから降温する第三エリアとを備え、 前記第二エリアの昇温速度は前記第一エリアの昇温速度よりも速くするセラミックコンデンサの製造方法。
IPC (3件)：
H01G 4/12 ,  H01G 13/00 ,  C04B 35/64
FI (4件)：
H01G4/12 364 ,  H01G13/00 391E ,  C04B35/64 C ,  C04B35/64 A
Fターム (18件)：
5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AH09 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC39 ,  5E082EE04 ,  5E082EE11 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG26 ,  5E082FG54 ,  5E082GG10 ,  5E082KK01 ,  5E082LL01 ,  5E082MM24 ,  5E082PP06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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