特許
J-GLOBAL ID：200903030422557336

認識番号を有する半導体装置、その製造方法及び電子装置

発明者：
宇佐美 光雄

宇佐美 光雄 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-381458
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184872
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】電子線描画法の効率的活用により、認識番号を有する超小型の半導体装置を経済的に実現する。【解決手段】トランジスタを用いた128ビットの認識番号を識別するためのメモリを、電子線描画法を用いて選択的に形成したコンタクトホールによって構成する。半導体チップの平面長辺寸法を0.5mm以下とする。また、上記コンタクトホールを周囲の回路のコンタクトホールと同時に作成する。その他、半導体チップの平面長辺寸法を製造開始前のウエハの厚さよりも小さく、ウエハが薄膜化された後の厚さよりも大きくする。別に、メモリにバーコードと同一のデータを更に格納する。更に別に、認識番号を暗号化したデータを用いて半導体チップの検査を行なう。
請求項（抜粋）：
トランジスタを用いた128ビットのメモリで認識番号が構成される半導体装置の製造方法において、半導体基板表面に、前記トランジスタの構成要素となる導電領域を複数形成する工程と、複数の前記導電領域上部に絶縁膜を形成する工程と、前記認識番号を得るために、複数の前記導電領域の上の前記絶縁膜に、電子線描画法を用いて選択的にコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを介して、前記導電膜領域に接続される配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (15件)：
H01L 21/8246 ,  H01L 27/112 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  G06K 19/077 ,  G11C 17/00 ,  G11C 17/08 ,  G11C 17/12 ,  G11C 17/18 ,  G11C 29/00 652 ,  H01L 21/027 ,  H01L 23/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 461
FI (16件)：
G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  G11C 17/00 D ,  G11C 17/00 Z ,  G11C 29/00 652 ,  H01L 23/00 A ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 433 ,  G06K 19/00 K ,  G11C 17/00 301 A ,  G11C 17/00 304 Z ,  G11C 17/00 306 Z ,  H01L 21/30 502 Z ,  H01L 21/30 541 Z ,  H01L 27/04 T ,  H01L 27/04 L
Fターム (47件)：
2H097AA03 ,  2H097BA10 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5B003AA03 ,  5B003AB01 ,  5B003AC01 ,  5B003AC06 ,  5B003AD02 ,  5B003AD07 ,  5B003AD08 ,  5B003AE04 ,  5B003AE05 ,  5B035AA00 ,  5B035AA04 ,  5B035BA05 ,  5B035BB01 ,  5B035BB09 ,  5B035BC00 ,  5B035CA23 ,  5B035CA29 ,  5B035CA33 ,  5F038AC20 ,  5F038AV06 ,  5F038AV15 ,  5F038AZ04 ,  5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038DF11 ,  5F038DT13 ,  5F038DT19 ,  5F038EZ19 ,  5F038EZ20 ,  5F046AA16 ,  5F046AA20 ,  5F056AA01 ,  5F056CA05 ,  5F056DA30 ,  5F083CR03 ,  5F083LA09 ,  5F083PR01 ,  5F083ZA12 ,  5L106AA07 ,  5L106DD21 ,  5L106DD22 ,  5L106FF05 ,  5L106GG07
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM