半導体構造素子のための窒化ケイ素を基礎とする支持体

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-547862
公開番号（公開出願番号）：特表2004-515437
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

半導体構造素子のための窒化ケイ素を基礎とする支持体、この場合この支持体は、結晶相として窒化ケイ素(Si3N4)、炭化ケイ素(SiC)およびオキシ窒化ケイ素(Si2N2O)を含有し、ケイ素の相含量は、5%以下であり、製造の際の収縮率は、5%未満であり、支持体の開放型の多孔率は、15体積%未満である。この支持体の製造法および半導体構造素子、殊に薄膜太陽電池の成分としての該支持体の使用ならびに支持体を含む半導体構造素子。

請求項（抜粋）：

半導体構造素子のための窒化ケイ素を基礎とする支持体において、この支持体が結晶相として窒化ケイ素(Si3N4)、炭化ケイ素(SiC)およびオキシ窒化ケイ素(Si2N2O)を含有し、結晶性ケイ素の含量が存在する結晶相の全体に対して5%以下であり、製造の際の収縮率が5%未満であり、支持体の開放型の多孔率が15体積%未満であることを特徴とする、半導体構造素子のための窒化ケイ素を基礎とする支持体。

IPC (2件)：

C04B35/584 , H01L31/04

FI (3件)：

C04B35/58 102A , H01L31/04 H , C04B35/58 102Y

Fターム (87件)：

4G001BA01 , 4G001BA02 , 4G001BA03 , 4G001BA04 , 4G001BA05 , 4G001BA08 , 4G001BA13 , 4G001BA21 , 4G001BA22 , 4G001BA24 , 4G001BA25 , 4G001BA26 , 4G001BA31 , 4G001BA32 , 4G001BA36 , 4G001BA37 , 4G001BA38 , 4G001BA39 , 4G001BA41 , 4G001BA43 , 4G001BA44 , 4G001BA45 , 4G001BA48 , 4G001BA49 , 4G001BA51 , 4G001BA53 , 4G001BA56 , 4G001BA57 , 4G001BA60 , 4G001BA62 , 4G001BA77 , 4G001BA86 , 4G001BB01 , 4G001BB02 , 4G001BB03 , 4G001BB04 , 4G001BB05 , 4G001BB08 , 4G001BB13 , 4G001BB21 , 4G001BB22 , 4G001BB24 , 4G001BB25 , 4G001BB26 , 4G001BB31 , 4G001BB32 , 4G001BB36 , 4G001BB37 , 4G001BB38 , 4G001BB39 , 4G001BB41 , 4G001BB43 , 4G001BB44 , 4G001BB45 , 4G001BB48 , 4G001BB49 , 4G001BB51 , 4G001BB53 , 4G001BB56 , 4G001BB57 , 4G001BB60 , 4G001BB62 , 4G001BB86 , 4G001BC17 , 4G001BC22 , 4G001BC23 , 4G001BC24 , 4G001BC25 , 4G001BC26 , 4G001BC34 , 4G001BC44 , 4G001BC48 , 4G001BC49 , 4G001BC54 , 4G001BC55 , 4G001BC72 , 4G001BD01 , 4G001BD05 , 4G001BD37 , 4G001BD38 , 4G001BE32 , 5F051AA03 , 5F051CB04 , 5F051CB20 , 5F051DA03 , 5F051GA03 , 5F051GA06

引用特許：

審査官引用 (9件)

太陽電池用基板、その製造方法および薄膜太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-012516 出願人：アイシン化工株式会社, 株式会社豊田中央研究所
特開平4-342466
繊維強化窒化珪素焼結体及びその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-178826 出願人：株式会社日立製作所

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