特許
J-GLOBAL ID：200903030446990537

磁気センサ、ホール素子、磁気抵抗効果素子、ホール素子の作製方法、磁気抵抗効果素子の作製方法

発明者：
三好 実人

三好 実人 について

, 
田中 光浩

田中 光浩 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-240959
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071238
出願日： 2007年09月18日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】温度特性が良好でかつ高感度で動作する磁気センサを提供する。【解決手段】所定の基板の上にGaN層とAlGaN層とのヘテロ接合構造を有する動作層を備える磁気センサにおいて、基板を、表面がm面もしくはa面であるGaN、AlN、AlGaN、ZnO、α-SiCから選ばれる六方晶材料の単結晶基板、表面がa面であるγ-LiAlO2単結晶基板、あるいは表面がr面であるサファイア単結晶基板のいずれかから選択し、動作層を、結晶構造がウルツ鉱型構造であるとともにc軸が基板の表面に対して略平行であるように形成する。GaN層とAlGaN層とのヘテロ接合界面近傍に蓄えられる二次元電子ガスの濃度が好適に抑制されることによって、室温から高温まで略同一の高い測定感度で動作する磁気センサが実現される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
所定の基板の上にGaN層とAlGaN層とのヘテロ接合構造を有する動作層を備える磁気センサであって、 前記基板が、表面がm面もしくはa面であるGaN、AlN、AlGaN、ZnO、α-SiCから選ばれる六方晶材料の単結晶基板、表面がa面であるγ-LiAlO2単結晶基板、あるいは表面がr面であるサファイア単結晶基板のいずれかであり、 前記動作層は、結晶構造がウルツ鉱型構造であるとともにc軸が前記基板の表面に対して略平行である、 ことを特徴とする磁気センサ。
IPC (5件)：
H01L 43/06 ,  H01L 43/14 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/07
FI (5件)：
H01L43/06 S ,  H01L43/14 ,  H01L43/08 S ,  H01L43/12 ,  G01R33/06 H
Fターム (28件)：
2G017AA02 ,  2G017AC04 ,  2G017AD53 ,  2G017AD61 ,  2G017AD65 ,  5F092AA01 ,  5F092AA08 ,  5F092AB01 ,  5F092AC02 ,  5F092AC04 ,  5F092AD06 ,  5F092AD07 ,  5F092BA06 ,  5F092BA07 ,  5F092BA15 ,  5F092BA16 ,  5F092BA19 ,  5F092BA22 ,  5F092BA25 ,  5F092BA34 ,  5F092BA35 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB46 ,  5F092BB55 ,  5F092BC13 ,  5F092BE14 ,  5F092CA03
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • ホール素子及びホールIC
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-243424   出願人：旭化成株式会社
  • 高温用磁気センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-263553   出願人：国立大学法人東京工業大学
審査官引用 (3件)
  • ホール素子及びホールIC
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-243424   出願人：旭化成株式会社
  • 縦型ホール素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-314415   出願人：株式会社デンソー, 前中一介
  • 磁気抵抗素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-384305   出願人：株式会社村田製作所
引用文献：
審査官引用 (2件)

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