特許
J-GLOBAL ID：200903059320132711

高温用磁気センサ

発明者：
サンドゥー アダルシュ

サンドゥー アダルシュ について


出願人/特許権者：
国立大学法人東京工業大学

国立大学法人東京工業大学 について


代理人 (2件)： 石原 昌典 ,  生井 和平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-263553
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080338
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】高温条件下においても十分な感度が得られるような高温用の磁気センサを提供する。【解決手段】200°C〜600°C程度の高温で磁界を高精度に測定するための磁気センサは、III族窒化物半導体層と、前記III族窒化物半導体層とヘテロ接合を構成するAlxGa1-xN層とを有する。ここで、AlxGa1-xN層のAl組成(x)は、0.3よりも大きく、0.5以下、好ましくは0.4とする。III族窒化物半導体層には、例えばGaNが利用可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
高温で磁界を測定する磁気センサであって、該磁気センサは、 III族窒化物半導体層と、 前記III族窒化物半導体層とヘテロ接合を構成し、Al組成(x)が0.3よりも大きく、0.5以下であるAlxGa1-xN層と、 を具備することを特徴とする高温用磁気センサ。
IPC (3件)：
H01L 43/06 ,  H01L 43/08 ,  G01R 33/07
FI (3件)：
H01L43/06 S ,  H01L43/08 S ,  G01R33/06 H
Fターム (2件)：
2G017AB05 ,  2G017AD53
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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