特許
J-GLOBAL ID：200903030469101713
露光用フォトマスク
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054940
公開番号（公開出願番号）：特開平10-254122
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【目的】 フォトリソグラフィーにおいて、周期パターンと孤立パターンの光学的な近接効果を減少させるフォトマスクを提供する。また、基板段差部でレジスト膜厚が変化するときに生じる定在波効果を減少させるフォトマスクを提供する。【構成】 透明基板(1)上に遮光膜でパターンが形成される露光用フォトマスクにおいて、遮光膜は半透明膜(5)と完全遮光膜(4)の2種類からなり、投影露光で半導体基板の表面に転写されるパターンの粗密性に応じて透過率が異なることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にパターンを転写するための露光用フォトマスクにおいて、前記パターンの粗密性に応じて前記露光用フォトマスクの遮光膜の透過率が異なることを特徴とする露光用フォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 L
, H01L 21/30 502 P
