特許
J-GLOBAL ID:200903030501329381

高周波伝送線路の構造および製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-254806
公開番号(公開出願番号):特開2001-077606
出願日: 1999年09月08日
公開日(公表日): 2001年03月23日
要約:
【要約】【課題】高周波伝送線路の挿入損失の要因である誘電損失を抑制することができる高周波伝送線路の構造および製造方法を提供する。【解決手段】O/E変換モジュールは、シリコン基板1上に高周波伝送線路用導体5a,5bが離間して延設されている。シリコン基板1の上面に、光ファイバーからの高周波の光信号を電気信号に変換する光電変換デバイスが搭載されている。シリコン基板1の上面の溝に、光ファイバーが固定されている。線路用導体5a,5bの間におけるシリコン基板1の表面に溝7が形成されている。溝7は光ファイバーの固定溝と同時に形成される。
請求項(抜粋):
半導体基板上又は誘電体基板上に、線路用導体が離間して延設された高周波伝送線路の構造において、前記線路用導体の間における前記半導体基板又は誘電体基板の表面に溝を形成したことを特徴とする高周波伝送線路の構造。
IPC (5件):
H01P 3/02 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/0232 ,  H01P 11/00
FI (5件):
H01P 3/02 ,  G02B 6/42 ,  H01P 11/00 F ,  G02B 6/12 B ,  H01L 31/02 C
Fターム (16件):
2H037BA01 ,  2H037BA11 ,  2H037BA21 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA06 ,  2H047KA03 ,  2H047MA05 ,  2H047MA07 ,  2H047TA31 ,  5F088BA02 ,  5F088BA18 ,  5F088BB01 ,  5F088CB14 ,  5F088EA16 ,  5F088GA04
引用特許:
審査官引用 (5件)
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