特許
J-GLOBAL ID：200903030508475650

薄膜トランジスタ及びその製法と液晶表示装置とプロジェクション装置

発明者：
鵜飼 育弘

鵜飼 育弘 について


出願人/特許権者：
ホシデン株式会社

ホシデン株式会社 について


代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-133207
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270520
出願日： 1996年05月28日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】 ?@工数の短縮と歩留りの向上により薄膜トランジスタの生産性を上げる。?ALCDの光利用効率を改善して明るいプロジェクション装置を実現する。【解決手段】 TFTアレイ基板はa-Si層11と金属製のソースバス5及びドレイン電極20との界面にn+ a-Siより成るオーミックコンタクト層12が形成される。TFTの形成された基板上に平坦化膜14が一面に形成され、その上に画素電極2が形成され、コンタクトホール15を通じてドレイン電極20に接続される。ライトシールド7及び絶縁膜8は省略する場合もある。この発明のLCDは上記の高開口率のTFTアレイ基板と、共通電極基板とを液晶層を挟んで近接対向して配する。TFTアレイ基板または共通電極基板のいずれか一方の外面に光透過率のよい反射型偏光子を配し、他方の外面に検光子を配する。カラー表示の場合、共通電極基板の内面に光透過率のよい光干渉カラーフィルタを用いるのが望ましい。このようにして光利用効率を従来の5%から22%に改善できる。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に金属製のソース電極及びドレイン電極が近接対向して形成され、前記ガラス基板上の前記ソース電極とドレイン電極で挟まれた領域及びその領域の近傍のソース電極上及びドレイン電極上にa-Si層が形成され、そのa-Si層上にゲート絶縁膜が形成され、そのゲート絶縁膜上に金属製のゲート電極が形成され、前記a-Si層の前記ソース電極及びドレイン電極との界面近傍にn+ a-Si より成るオーミックコンタクト層が形成されて成る薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1335 510 ,  G02F 1/136 500
FI (8件)：
H01L 29/78 616 L ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1335 510 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 627 B
引用特許：
審査官引用 (16件)
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