半導体装置及びその製造方法、半導体装置を用いた固体撮像装置並びに固体撮像システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361676
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164528
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】感度を維持しつつ空乏層が選択酸化膜のバーズビークに接触しないようにしてS/N比を向上させる。【解決手段】半導体素子を分離する選択酸化膜103と、選択酸化膜103下に形成されチャネル領域の拡がりを規定するチャネルストップ層104とを備えたMOS型撮像素子において、チャネルストップ層104は、選択酸化膜103のバーズビークを覆うように形成されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子を分離する選択酸化膜と、前記選択酸化膜下に形成されチャネル領域の拡がりを規定するチャネルストップ層とを備えた半導体装置において、前記チャネルストップ層は、前記選択酸化膜のバーズビークを覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/146 , H01L 21/265 , H01L 21/265 604 , H01L 21/76 , H04N 5/335

FI (6件)：

H01L 21/265 604 X , H04N 5/335 U , H01L 27/14 A , H01L 21/265 V , H01L 21/76 M , H01L 21/76 S

Fターム (27件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA19 , 4M118EA03 , 4M118EA07 , 4M118EA08 , 4M118EA16 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 5C024CX03 , 5C024CX41 , 5C024CY47 , 5C024GY31 , 5F032AA14 , 5F032AC01 , 5F032BA01 , 5F032BB01 , 5F032CA03 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032DA43 , 5F032DA53 , 5F032DA77

引用特許：

審査官引用 (5件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-070801 出願人：株式会社東芝
固体撮像装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-291363 出願人：ソニー株式会社
固体撮像装置および固体撮像装置応用システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-203817 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る