特許
J-GLOBAL ID：200903030509522741

半導体装置及びその製造方法、半導体装置を用いた固体撮像装置並びに固体撮像システム

発明者：
渡邉 高典

渡邉 高典 について

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小泉 徹

小泉 徹 について

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浅羽 哲朗

浅羽 哲朗 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361676
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164528
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 感度を維持しつつ空乏層が選択酸化膜のバーズビークに接触しないようにしてS/N比を向上させる。【解決手段】 半導体素子を分離する選択酸化膜103と、選択酸化膜103下に形成されチャネル領域の拡がりを規定するチャネルストップ層104とを備えたMOS型撮像素子において、チャネルストップ層104は、選択酸化膜103のバーズビークを覆うように形成されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体素子を分離する選択酸化膜と、前記選択酸化膜下に形成されチャネル領域の拡がりを規定するチャネルストップ層とを備えた半導体装置において、前記チャネルストップ層は、前記選択酸化膜のバーズビークを覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 604 ,  H01L 21/76 ,  H04N 5/335
FI (6件)：
H01L 21/265 604 X ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/76 M ,  H01L 21/76 S
Fターム (27件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA19 ,  4M118EA03 ,  4M118EA07 ,  4M118EA08 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5C024CX03 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GY31 ,  5F032AA14 ,  5F032AC01 ,  5F032BA01 ,  5F032BB01 ,  5F032CA03 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA77
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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