特許

J-GLOBAL ID：200903030532590487

回路基板およびその製造方法

発明者： 佐藤 穂積 ,  宇高 友広 ,  関口 学 ,  岡庭 求樹 ,  野田 俊夫
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-332053
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144012
出願日： 1998年11月06日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】 酸素存在下においても光硬化反応により形成可能であり、しかも優れた光硬化性や電気特性を有する回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】下記(A)成分および(B)成分を含有する光硬化性組成物を光硬化してなる回路基板およびその製造方法。(A)一般式(1)で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、およびその縮合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物(R1)PSi(X)4-P (1)[一般式(1)中、R1は炭素数が1〜12である非加水分解性の有機基、Xは加水分解性基、およびpは0〜3の整数である。](B)光酸発生剤

請求項（抜粋）：

下記(A)成分および(B)成分を含有する光硬化性組成物を光硬化し、電気絶縁性基材としてなる回路基板。(A)一般式(1)で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、およびその縮合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物(R1)PSi(X)4-P (1)[一般式(1)中、R1 は炭素数が1〜12である非加水分解性の有機基、Xは加水分解性基、およびpは0〜3の整数である。](B)光酸発生剤

IPC (3件)：

C09D 5/00 ,  C09D183/04 ,  H05K 1/03 610

FI (3件)：

C09D 5/00 C ,  C09D183/04 ,  H05K 1/03 610 H

Fターム (25件)：

4J038CL012 ,  4J038DL031 ,  4J038DL051 ,  4J038HA216 ,  4J038HA446 ,  4J038HA456 ,  4J038HA476 ,  4J038HA506 ,  4J038JA29 ,  4J038JA42 ,  4J038JA47 ,  4J038JA55 ,  4J038JB01 ,  4J038JC13 ,  4J038JC17 ,  4J038JC29 ,  4J038JC31 ,  4J038JC32 ,  4J038JC34 ,  4J038JC35 ,  4J038KA03 ,  4J038KA06 ,  4J038NA21 ,  4J038PA17 ,  4J038PB09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• マイクロエレクトロニクス用途のための非アミン系フォトレジスト密着促進剤
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-516961   出願人：コンプレツクスフルイツドシステムズ,インコーポレーテツド
• 光硬化性オキセタン組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-049907   出願人：レンセラーポリテクニクインスチチュート
• 硬化物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-343840   出願人：東亞合成株式会社
• フォトソルダーレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-126175   出願人：東洋インキ製造株式会社
• 珪素含有高分子化合物および感光性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-133586   出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "CATIONIC PHOTOCROSSLINKABLE POLYDIMETHYLSILOXANE. III. SYNTHESIS AND PHOTOCROSSLINKING OF POLYDIMET