特許
J-GLOBAL ID：200903030619639857
3軸半導体加速度センサの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-313375
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153626
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】 ビーム形成工程の歩留り向上と、性能の向上が図れる3軸加速度センサの構造を提供する【解決手段】 おもり形成用の、少なくとも表面の一部が堀り込まれた第1基板8の表面に、梁形成用の第2基板17を接合する工程と、接合された第2基板17を薄膜化する工程とを備え、梁の一部におもり7を接合してなる3軸半導体加速度センサの製造方法において、第2基板17を、第1導電型基板(p型導電基板17a)と、その上面に形成された第2導電型半導体層(エピタキシャル層、n型導電基板17b)とで構成した。
請求項（抜粋）：
おもり形成用の、少なくとも表面の一部が堀り込まれた第1基板の表面に、梁形成用の第2基板を接合する工程と、接合された前記第2基板を薄膜化する工程とを備え、前記梁の一部に前記おもりを接合してなる3軸半導体加速度センサの製造方法において、前記第2基板を梁の厚みでエッチングストップさせるエッチングストップ手段を前記第2基板に形成することを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/84 A
, G01P 15/12
