特許
J-GLOBAL ID：200903030643721998

パターン形成材料

発明者：
山田 素行

山田 素行 について

, 
降▲旗▼ 智欣

降▲旗▼ 智欣 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187744
公開番号（公開出願番号）：特開平8-082932
出願日： 1994年07月18日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 超LSI等の製造時のパターン形成が安定化してより微細な加工ができ、超LSI等の製造に用いるパターン形成材料として好適なパターン形成材料を得る。【構成】 アルカリ可溶性ポリマーの水酸基の全部又は一部をテトラヒドロピラニル基又はテトラヒドロフラニル基で保護したポリマーをベースポリマーとする化学増幅型パターン形成材料において、アルコール性の水酸基を持つ化合物を脱離助剤として配合する。
請求項（抜粋）：
アルカリ可溶性ポリマーの水酸基の全部又は一部をテトラヒドロピラニル基及び/又はテトラヒドロフラニル基で保護したポリマーをベースポリマーとして不活性溶媒に溶解してなる化学増幅型パターン形成材料において、アルコール性の水酸基を持つ化合物を脱離助剤として配合したことを特徴するパターン形成材料。
IPC (3件)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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