特許

J-GLOBAL ID：200903030646733199

ダイナミック型RAM

発明者： 橘川 五郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-309833
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126886
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構成で128Mビットの記憶容量を実現したダイナミック型RAMを提供する。【解決手段】 半導体チップの短辺方向において半分ずつに分けて合計約4K対の相補ビット線を配置し、上記半導体チップの中央部分には長辺方向に沿ってボンディングパッド列及び入出力インターフェイス回路を配置し、上記半導体チップの長辺方向に約32K本のワード線を配置して全体で約128Mビットの記憶容量を実現して400mil×875milのサイズからなる64Mビットと同一の標準パッケージに搭載させる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの短辺方向において半分ずつに分けて合計約4K対の相補ビット線を配置し、上記半導体チップの中央部分には長辺方向に沿ってボンディングパッド列及び入出力インターフェイス回路を配置し、上記半導体チップの長辺方向に約32K本のワード線を配置して全体で約128Mビットの記憶容量を実現するとともに、略400mil×875milの外形サイズからなる64Mビットと同一の標準パッケージに搭載してなることを特徴とするダイナミック型RAM。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/401 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (6件)：

H01L 27/10 681 B ,  G11C 11/34 354 D ,  G11C 11/34 362 H ,  G11C 11/34 371 K ,  H01L 25/04 Z ,  H01L 27/10 681 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 冗長メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-147195   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• ダイナミック型RAM
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-201674   出願人：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 半導体記憶装置及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-089910   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• ダイナミック型RAM
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-317371   出願人：株式会社日立製作所