特許

J-GLOBAL ID：200903030658281315

半導体レーザ

発明者： 東條 剛 ,  小沢 正文 ,  内田 史朗 ,  平田 照二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-169504
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357842
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 駆動電圧の低減、横モードの安定化、遠視野像の水平方向のビーム拡がり角の拡大、共振器端面の形状のバラツキによるレーザ特性の悪化防止およびノイズ特性の向上を容易に実現することのできる窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザを提供する。【解決手段】 p型AlGaNクラッド層7の上層部、p型GaNコンタクト層8からなるリッジ部9の両側に、GaInN活性層5からの光を吸収しないSiO2 電流狭窄層11が設けられた屈折率導波型のGaN系半導体レーザにおいて、リッジ部9の共振器長方向の両端部に、共振器長方向の中央部から共振器長方向の両端部に向かう方向に幅が減少するテーパー領域9aを設ける。リッジ部9の共振器長方向の中央部は幅が一定のストレート領域9bとする。リッジ部9の共振器長方向の両端面における幅W1 を3μm以下、リッジ部9の共振器長方向の中央部における幅W2 を4μm以上に設定する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上の活性層と、上記活性層上の第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記第2のクラッド層に設けられたリッジ部の両側の部分に、上記活性層からの光を吸収しない材料からなる電流狭窄層が設けられた電流狭窄構造を有する窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、上記リッジ部は、共振器長方向の両端部に上記共振器長方向の中央部から上記共振器長方向の両端部に向かう方向に幅が減少するテーパー領域を有することを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/20 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 660 ,  H01L 33/00 C

Fターム (12件)：

5F041AA06 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F073AA13 ,  5F073AA35 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073EA19 ,  5F073EA27

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光情報処理装置およびこれに適した半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074719   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-249134   出願人：ソニー株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-352540   出願人：日亜化学工業株式会社