半導体レーザ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249134
公開番号（公開出願番号）：特開平10-075011
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】駆動電圧の低減、遠視野像における水平方向の放射角の拡大および遠視野像の整形を図ることができるとともに、安定した自励発振型半導体レーザを容易に実現することができる半導体レーザを提供する。【解決手段】 p型AlGaInPクラッド層4の上層部、p型GaInP中間層5およびp型GaAsコンタクト層6からなるリッジストライプ部7の両側を、n型GaAs電流狭窄層8で埋め込んだAlGaInP系の埋め込みリッジ型半導体レーザにおいて、リッジストライプ部7の共振器長方向の両端部に長さL<SB>1 </SB>のテーパー領域7aをぞれぞれ設け、テーパー領域7aの合計の長さ2L<SB>1</SB>を、共振器長Lの1/10以上に選ぶ。リッジストライプ部7の共振器長方向の両端面における幅W<SB>1 </SB>、共振器長方向の中央の幅W<SB>2 </SB>を、W<SB>1 </SB><W<SB>2 </SB>、W<SB>1 </SB>≦5μm、W<SB>2 </SB>≦7μmに選ぶ。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上の活性層と、上記活性層上の第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記第2のクラッド層に設けられたストライプ部の両側の部分に、上記活性層からの光に対して吸収効果を有する第1導電型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する半導体レーザにおいて、上記ストライプ部が共振器長方向の両端部に上記共振器長方向の中央部から上記共振器長方向の上記両端部に向かう方向に幅が減少するテーパー領域を有することを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (17件)

半導体レーザー
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-001385 出願人：ソニー株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-251983 出願人：シャープ株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-038509 出願人：イーストマン・コダックジャパン株式会社

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