不揮発性有機半導体記憶素子、その製造方法、及び非接触情報管理表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高野明近 , 岩野進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-275803
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111856
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】強誘電体膜を無機材料とすることによって、半導体材料にSiを用いないMFS素子を提供する。【解決手段】有機半導体材料6と強誘電体膜3のゲート絶縁膜にて電界効果型トランジスタを形成し、該強誘電体膜3の自発分極を利用して情報を記憶する不揮発性半導体記憶素子を構成する。強誘電体膜3を無機材料にすることによって、M(金属 Metal)-F(強誘電体 Ferroelectrics)-S(半導体 Semiconductor)構成を可能とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機半導体材料と強誘電体膜のゲート絶縁膜にて電界効果型トランジスタを形成し、前記強誘電体膜の自発分極を利用して情報を記憶する不揮発性半導体記憶素子において、前記強誘電体膜が無機材料からなることを特徴とする不揮発性有機半導体記憶素子。

IPC (6件)：

H01L27/105 , G06K19/077 , H01L21/8247 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L51/00

FI (4件)：

H01L27/10 444A , H01L29/78 371 , H01L29/28 , G06K19/00 K

Fターム (19件)：

5B035BA03 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5B035CA06 , 5B035CA23 , 5B035CA29 , 5F083FR05 , 5F083FZ07 , 5F083JA12 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083JA60 , 5F083PR22 , 5F101BA62 , 5F101BD02 , 5F101BD30

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-225567
低温薄膜トランジスタの作製方法およびトランジスタ・デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-064964 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
非破壊型強誘電体メモリ及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-247859 出願人：オリンパス光学工業株式会社

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