特許
J-GLOBAL ID：200903030697266013
基板処理方法及びプログラム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-124354
公開番号（公開出願番号）：特開2005-310966
出願日： 2004年04月20日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】プリコーティング処理により成膜室内(特に被処理基板の載置台)にダメージを与えることなくパーティクルの発生を更に高精度で抑える。【解決手段】 プリコーティング工程を、高周波電源から保護板に高周波バイアスを印加しないステップS3-1と、高周波バイアスを印加するステップS3-2の2段階で行う。ステップS3-2では、保護板がアルミナ製の場合、投入パワー1000Wで13.56MHzの高周波バイアス電圧を約1秒間程度印加しながら、保護板の温度を例えば250°C程度以下の所定温度に維持して実行する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
複数の被処理基板に順次成膜処理を施す基板処理方法であって、
成膜室内にクリーニングガスを導入して、当該成膜室内をクリーニング処理する工程と、
前記被処理基板として保護板を用い、前記成膜室内に設けられた前記載置台に前記保護板を載置し、前記成膜室内に成膜ガスを導入してプリコーティング処理を行う工程と、
を含み、
前記プリコーティング処理を行うに際して、前記高周波バイアスを印加することなく処理する第1のプリコーティング処理と、前記被処理基板を非破壊状態で保持する処理条件で前記高周波バイアスを印加した状態により処理する第2のプリコーティング処理とを順次行うことを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/316 X
, C23C16/44 J
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA06
, 4K030FA04
, 4K030KA12
, 4K030LA15
, 5F058BA20
, 5F058BB05
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF29
, 5F058BJ01
出願人引用 (1件)
-
処理方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-106763
出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (2件)
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