特許
J-GLOBAL ID：200903024084420362

チャンバシーズニング膜堆積を使用したHDP-CVDチャンバ内の移動イオン及び金属の汚染の低減

発明者：
ケント ロスマン

ケント ロスマン について

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ターグト サヒン

ターグト サヒン について

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ヒヘム ンサード

ヒヘム ンサード について

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ロムアルド ノワック

ロムアルド ノワック について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-159107
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016845
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 処理チャンバ構成部材内で本質的に発生する汚染物質が処理チャンバ内に導入することを制御する方法及び装置。【解決手段】 ドライ洗浄作業の後、基板を処理チャンバ内に導入する前に、CVDチャンバに保護層を「シーズニング」する。堆積したシーズニング層は、チャンバ構成部材材に比べて一般的に汚染物質の拡散率が低く、チャンバ構成部材を覆い、本質的に発生する汚染物質が、その後の処理ステップを阻害する可能性を低減する。シーズニング層の堆積が終了した後、チャンバを1〜n個の基板堆積ステップに使用し、その後再び上述の洗浄作業でクリーニングを行い、次いで再度シーズニングを行う。
請求項（抜粋）：
汚染物質を含む構成部材を有する内面を備えた基板処理チャンバを操作する方法であって、前記処理チャンバ内にプロセスガスを導入することによって、前記チャンバの前記内面の少なくとも一部分を実質的に覆う保護シーズニング膜を堆積するステップを含み、前記汚染物質が、前記チャンバの前記内面の前記構成部材内よりも、前記保護シーズニング膜内で低い拡散率を有する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/50
引用特許：
審査官引用 (4件)
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