特許
J-GLOBAL ID：200903024822256661
処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-106763
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284475
出願日： 1997年04月09日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 被処理基板の載置台の載置面を保護しながらクリ-ニングを行うこと。また高いスル-プットで処理すること。【解決手段】 静電チャックを備えた載置台3上にウエハWを載置し、載置台3表面を200°C程度に加熱しながら、処理ガスをプラズマ化してウエハWを350°C程度に加熱し、SiOF膜を成膜する。ウエハWを10枚処理した後、成膜室26内に付着した膜Sを除去するためにクリ-ニングを行い、次いでプリコ-トを行うが、この際載置台3上に窒化アルミニウム製の保護板5を載置する。この保護板5によりクリ-ニング時には静電チャックの表面がプラズマから保護され、プリコ-ト時には載置台3表面への成膜が防止される。また保護板5は載置台3に静電吸着され、しかも熱衝撃に対して強いので、クリ-ニング時に載置台3の温度を下げる必要がなく、これによりスル-プットが向上する。
請求項（抜粋）：
成膜室内に設けられた載置台に被処理基板を載置して、成膜ガスにより当該被処理基板を成膜処理する工程と、次いで前記載置台に、被処理基板と同一サイズの保護板を載置し、クリ-ニングガスを前記成膜室内に導入してプラズマ化し、当該成膜室内をクリ-ニング処理する工程と、続いて前記載置台に、被処理基板と同一サイズの保護板を載置した状態で、成膜ガスを前記成膜室内に導入し、前処理である成膜処理を行う工程と、を含むことを特徴とする処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/31
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/68
, H02N 13/00
H01L 21/31 C
, C23C 16/44 J
, H01L 21/205
, H01L 21/68 R
, H02N 13/00 D
, H01L 21/302 N
