半導体レーザ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-264764
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125266
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】パルス駆動を用いた半導体レーザにおいて、逆電圧が印加されても半導体レーザが絶縁破壊することがないようにする。【構成】半導体レーザは、n-GaAs基板1上に、n-GaAs層2、n-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層3、Al0.2 Ga0.8 As/ GaAs多重量子井戸構造からなる活性層4、p-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層5、p-GaAs層6が順に積層された構成となっており、パルス駆動によりレーザ光を出力する。ここで、活性層4に接するクラッド層3、5のうちクラッド層3の不純物濃度をクラッド層5より低くし、かつクラッド層3の不純物濃度を1×1017cm-3以下とした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に順次積層された第1の半導体クラッド層、半導体活性層および第2の半導体クラッド層を少なくとも有し、パルス駆動によりレーザ光を出力する半導体レーザにおいて、前記半導体活性層に接する前記第1、第2の半導体クラッド層のうち一方の層の不純物濃度を他方の層より低くし、かつその一方の層の不純物濃度を1×1017cm-3以下としたことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体レーザー
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-229356 出願人：ソニー株式会社
半導体レーザおよびこれを用いた光センシング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-066823 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平1-204489

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