インジウム原料試薬組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉良幸 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-589760
公開番号（公開出願番号）：特表2002-538082
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2002年11月12日
要約：

【要約】インジウムをミクロ電子工学デバイス構造体中に、例えば、バブラーまたは液体供給MOCVD技術によってデバイス基板上にインジウム含有薄膜として、またはイオン注入技術によってデバイス基板に混入されたドーパント種として混入するために有用であるインジウム前駆組成物。前記前駆組成物は、式:R1R2InLの前駆組成物を含有し、式中、R1及びR2が同一または異なっていてもよく、独立に、C6-C10アリール、C6-C10フルオロアリール、C6-C10ペルフルオロアリール、C1-C6アルキル、C1-C6フルオロアルキル、またはC1-C6ペルフルオロアルキルから選択され、Lがβ-ジケトナトまたはカルボキシレートである。インジウム-銅金属化などのインジウム含有金属薄膜が基材上に形成されてもよく、浅接合インジウムイオン注入構造体が、本発明の前駆物質を用いて、集積回路内に形成されてもよい。

請求項（抜粋）：

式: R1R2InLのインジウム前駆組成物であって、上記式中、R1及びR2が同一または異なっていてもよく、独立に、C6-C10アリール、C6-C10フルオロアリール、C6-C10ペルフルオロアリール、C1-C6アルキル、C1-C6フルオロアルキル、またはC1-C6ペルフルオロアルキルから選択され、 Lがβ-ジケトナトまたはカルボキシレートである、インジウム前駆組成物。

IPC (8件)：

C07F 5/00 , C07C 49/92 , C23C 14/48 , C23C 16/18 , C07C 55/02 , C07C 55/32 , C07C 59/195 , C07C 59/21

FI (8件)：

C07F 5/00 J , C07C 49/92 , C23C 14/48 Z , C23C 16/18 , C07C 55/02 , C07C 55/32 , C07C 59/195 , C07C 59/21

Fターム (24件)：

4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AB81 , 4H006AC90 , 4H006BM10 , 4H006BM71 , 4H006BR10 , 4H006BS10 , 4H048AA01 , 4H048AA02 , 4H048AB84 , 4H048AC90 , 4H048VA11 , 4H048VA22 , 4H048VA86 , 4H048VB10 , 4K029BA10 , 4K029BD01 , 4K029CA10 , 4K029DE02 , 4K030AA11 , 4K030BA11 , 4K030EA01 , 4K030LA15

引用特許：

審査官引用 (7件)

特公昭46-003567
フツ素化ジケトン金属錯体化合物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-013266 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭61-118340

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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