特許

J-GLOBAL ID：200903030798825854

トレンチゲート型半導体装置、トレンチゲート型半導体装置の製造方法

発明者： 山口 好広 ,  川口 雄介 ,  小野 昇太郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-206039
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027327
出願日： 2005年07月14日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】アバランシェ耐量の確保とオン抵抗の低減とを両立することが可能なトレンチゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】トレンチゲート構造と、ゲート絶縁膜の一部を介してゲート電極に対向位置し、かつ上面を有するn型ソース層と、n型ソース層に隣接しかつゲート絶縁膜の別の一部を介してゲート電極に対向位置するp型ベース層と、p型ベース層に隣接しかつn型ソース層に接することなく、ゲート絶縁膜のさらに別の一部を介してゲート電極に対向位置するn型半導体層と、n型ソース層およびp型ベース層に接し、かつ該n型ソース層の上面と同一平面を構成する上面を有し、かつ該上面からの深さ方向にみた不純物濃度値のプロファイルが少なくとも2つのピークを有し、かつ該少なくとも2つのピークがn型ソース層の上面からの形成深さより浅い位置にあるp型コンタクト層とを具備する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

トレンチ内に埋め込み形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極を取り囲むゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の一部を介して前記ゲート電極に対向位置し、かつ上面を有するn型ソース層と、 前記n型ソース層に隣接しかつ前記ゲート絶縁膜の別の一部を介して前記ゲート電極に対向位置するp型ベース層と、 前記p型ベース層に隣接しかつ前記n型ソース層に接することなく、前記ゲート絶縁膜のさらに別の一部を介して前記ゲート電極に対向位置するn型半導体層と、 前記n型ソース層および前記p型ベース層に接し、かつ該n型ソース層の前記上面と同一平面を構成する上面を有し、かつ該上面からの深さ方向にみた不純物濃度値のプロファイルが少なくとも2つのピークを有し、かつ該少なくとも2つのピークが前記n型ソース層の前記上面からの形成深さより浅い位置にあるp型コンタクト層と を具備することを特徴とするトレンチゲート型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 652D ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-310121   出願人：株式会社豊田自動織機

審査官引用 (2件)

• 併合したスプリットウエル領域を有するパワー半導体装置の製造方法および当該方法にて製造した装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-517438   出願人：ハリスコーポレイション
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-014140   出願人：日本電気株式会社