特許
J-GLOBAL ID：200903086453924650
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-014140
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203353
出願日： 2000年01月19日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 縦型電界効果トランジスタのソース層、高濃度ベース層を形成するためのマスク工程を削減し、かつ製造工程の簡略化を実現した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 一導電型の半導体基板1の表面に凹溝5を形成し、かつ前記凹溝の内面にゲート酸化膜6を形成するとともに、前記凹溝5内に導電材料を埋設して溝型ゲート電極7を形成し、前記半導体基板1の表面に逆導電型の不純物を導入して逆導電型ベース層8を形成し、前記逆導電型ベース層8の表面に一導電型の不純物を導入して一導電型ソース層9を形成し、前記一導電型ソース層9にマスクを用いて選択的に逆導電型の不純物を前記ソース層9の不純物濃度よりも高濃度に導入して高濃度逆導電型ベース層11を形成する工程を含む。高濃度逆導電型ベース層11は、一導電型ソース層9の一部を反転して形成されるため、ソース層9を形成するためのマスクが不要になる。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板の表面に凹溝を形成する工程と、前記凹溝の内面にゲート酸化膜を形成するとともに、前記凹溝内に導電材料を埋設してゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板の表面に逆導電型の不純物を導入して逆導電型ベース層を形成する工程と、前記逆導電型ベース層の表面に一導電型の不純物を導入して一導電型ソース層を形成する工程と、前記一導電型ソース層にマスクを用いて選択的に逆導電型の不純物を前記一導電型ソース層の不純物濃度よりも高濃度に導入して高濃度逆導電型ベース層を形成する工程とを含んで一導電チャネル型の縦型電界効果トランジスタを製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 652 D
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 658 A
