特許

J-GLOBAL ID：200903030805710790

量子ドットのエネルギー準位を制御した半導体素子およびそのための半導体素子の製造方法

発明者： 天野 建
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-010483
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194378
出願日： 2006年01月18日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：

【課題】 エネルギー準位を任意のレベルに設定することができる量子ドットのエネルギー準位を制御する方法およびそれを用いた半導体素子を提供することにある。【解決手段】 半導体素子は、第1層の複数のInAs量子ドットを有するInAs薄膜層又は第1層の複数のInGaAs量子ドットを有するInGaAs薄膜層と、前記第1層上に形成される第2層のInGaAs層を有する半導体素子であって、前記InAs量子ドット又は前記InGaAs量子ドットのエネルギー準位を前記InAs量子ドット又は前記InGaAs量子ドットの径を変えることにより制御することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1層の複数のInAs量子ドットを有するInAs薄膜層又は第1層の複数のInGaAs量子ドットを有するInGaAs薄膜層と、 前記第1層上に形成される第2層のInGaAs層を有する半導体素子において、 前記InAs量子ドット又は前記InGaAs量子ドットのエネルギー準位を前記InAs量子ドット又は前記InGaAs量子ドットの径を変えることにより制御することを特徴とする半導体素子。

IPC (1件)：

H01S 5/343

FI (1件)：

H01S5/343

Fターム (5件)：

5F173AF09 ,  5F173AF12 ,  5F173AH03 ,  5F173AP10 ,  5F173AR02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• モード同期半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-240347   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 量子ドットを備えた素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-371061   出願人：富士通株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-181780   出願人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所