特許
J-GLOBAL ID：200903030824550192
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-244241
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066465
出願日： 2004年08月24日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】良好な放熱性を確保しつつ小型化を図ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子11及びスペーサ14を第1金属ベース基板12と第2金属ベース基板13との内側に配置する。そして、第1金属ベース基板12及び第2金属ベース基板13の配線パターン12b、13bが外側を向くように配置する。すなわち、金属ベース部12a、13aに放熱板としての効果を発揮させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも1以上の半導体素子と、
少なくとも1以上の放熱板と、
略平行に対向して配置されると共に内側に前記半導体素子及び前記放熱板を配置し前記半導体素子及び前記放熱板に熱的に接続されている一対の金属ベース基板と、
を備える半導体装置において、
少なくとも一方の前記金属ベース基板は、
第1金属ベース部と、
該金属ベース部の外側面に絶縁層を介して形成された第1配線パターンと、
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F036AA01
, 5F036BA01
, 5F036BA23
, 5F036BC06
, 5F036BC33
, 5F036BD01
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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