特許
J-GLOBAL ID：200903030844250748

面発光レーザ装置

発明者：
大久保 敦

大久保 敦 について


出願人/特許権者：
三井化学株式会社

三井化学株式会社 について


代理人 (1件)： 西教 圭一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-023531
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224965
出願日： 1998年02月04日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：
【要約】【課題】 光導波層の電気抵抗や熱抵抗を低減化し、高い光出力が得られる面発光レーザ装置を提供する。【解決手段】 面発光レーザ装置は、GaAs基板27の上に順次、多層膜ミラーで形成されたミラー層26、活性領域、多層膜ミラーで形成されたミラー層21が形成され、ミラー層21、26が層厚方向に沿った光軸を持つ光共振器を構成する。活性領域は、下から順次、AlGaAs光導波層25、AlGaAsキャリアブロック層31、AlGaAsバリア層およびGaAs井戸層から成る4重量子井戸層で構成された活性層30、AlGaAsキャリアブロック層29、AlGaAs第1光導波層24、AlAs層およびAlAs酸化層を含む電流狭窄層23、AlGaAsから成る第2光導波層22で構成される。
請求項（抜粋）：
活性層と、活性層の両面側に設けられ、該活性層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対の光導波層と、活性層と少なくとも一方の光導波層との間に設けられ、該活性層および該光導波層の各禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するキャリアブロック層と、活性層、光導波層およびキャリアブロック層を挟むように両面側に設けられ、層厚方向に沿って共振器光軸を形成するための1対のミラー層と、キャリアブロック層と活性層の反対側に位置するミラー層との間に設けられ、共振器光軸付近に電流を集中させるための電流狭窄層とを備えることを特徴とする面発光レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 3/08 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01S 3/08 ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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