特許
J-GLOBAL ID：200903030850493725

モノリシックバイパスダイオードおよび太陽電池ストリング装置

発明者：
バウトロス、カリム・エス

バウトロス、カリム・エス について

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クルト、ドミトリー・ディー

クルト、ドミトリー・ディー について

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カラム、ナッサー・エイチ

カラム、ナッサー・エイチ について


出願人/特許権者：
ザ・ボーイング・カンパニー

ザ・ボーイング・カンパニー について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-510918
公開番号（公開出願番号）：特表2003-505862
出願日： 2000年03月20日
公開日（公表日）： 2003年02月12日
要約：
【要約】集積バイパスダイオードを備えた太陽電池装置およびその形成方法である。この方法は、太陽電池を形成するために第1のタイプのドーパントを有する第2の層を第1のタイプのドーパントと逆の第2のタイプのドーパントを有する第1の層上に付着し、第1のタイプのドーパントを有する第3の層を第2の層上に付着し、その逆のタイプのドーパントを有する第4の層を第3の層上に付着させて第3の層および第4の層がバイパスダイオードを形成し、第3の層および第4の層を選択的にエッチングして、第2の層および第3の層を露出させ、コンタクトを第4の層、第3の層および第1の層に形成して、装置への電気接続を可能にするステップを含んでいる。装置は、第1のタイプのドーパントを有する第1の層と、第1のタイプのドーパントと逆の第2のタイプのドーパントを有している、第1の層に結合された第2の層と、第2の層に結合された第3の層と、第3の層に結合された第4の層とを備え、第1の層および第2の層が太陽電池を形成し、第3の層および第4の層がバイパスダイオードを形成する。
請求項（抜粋）：
第1のタイプのドーパントを有する第1の層と、 第1のタイプのドーパントと逆の第2のタイプのドーパントを有している、第1の層に結合された第2の層と、 第2の層に結合された第3の層と、 第3の層に結合された第4の層とを備え、 第1の層および第2の層が太陽電池を形成し、 第3の層および第4の層がバイパスダイオードを形成することを特徴とする太陽電池装置。
IPC (2件)：
H01L 31/042 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01L 31/04 C ,  H01L 31/04 Y
Fターム (7件)：
5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051DA16 ,  5F051DA20 ,  5F051EA06
引用特許：
審査官引用 (13件)
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