特許
J-GLOBAL ID:200903030852498252
部品内蔵基板及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-306391
公開番号(公開出願番号):特開2008-124247
出願日: 2006年11月13日
公開日(公表日): 2008年05月29日
要約:
【課題】半導体素子を内蔵した部品内蔵基板の小型化と、配線長の短縮化を図る。【解決手段】有機樹脂から成る第1の絶縁層2の上面に導体パターンから成る第1の導体層1を有し、前記第1の導体層1と前記第1の絶縁層2の上面に半導体素子7を埋め込む凹部を有する第2の絶縁層5aを有し、前記凹部の側壁部に前記第1の導体層1と接続する導体パターンから成る壁面導体15を有し、前記第2の絶縁層5aの上面に前記壁面導体15と接続する導体パターンから成る第2の導体層6aを有し、前記凹部に埋設した半導体素子7を有し、前記半導体素子7の上面と前記第2の導体層6aと前記第2の絶縁層5aの上面に第3の絶縁層5bを有する部品内蔵基板を製造する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
有機樹脂から成る第1の絶縁層の上面に導体パターンから成る第1の導体層を有し、前記第1の導体層と前記第1の絶縁層の上面に半導体素子を埋め込む凹部を有する第2の絶縁層を有し、前記凹部の側壁部に前記第1の導体層と接続する導体パターンから成る壁面導体を有し、前記第2の絶縁層の上面に前記壁面導体と接続する導体パターンから成る第2の導体層を有し、前記凹部に埋設した半導体素子を有し、前記半導体素子の上面と前記第2の導体層と前記第2の絶縁層の上面に第3の絶縁層を有することを特徴とする部品内蔵基板。
IPC (2件):
FI (5件):
H05K3/46 Q
, H05K3/46 B
, H05K3/46 N
, H01L23/12 F
, H01L23/12 J
Fターム (24件):
5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA43
, 5E346CC04
, 5E346CC09
, 5E346CC32
, 5E346DD02
, 5E346DD25
, 5E346DD32
, 5E346DD33
, 5E346DD44
, 5E346EE33
, 5E346FF01
, 5E346FF04
, 5E346FF07
, 5E346FF15
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346GG25
, 5E346GG28
, 5E346HH04
, 5E346HH17
, 5E346HH22
引用特許:
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