特許
J-GLOBAL ID:200903030896575742
プラズマ処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
亀谷 美明 (外2名)
, 亀谷 美明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-308860
公開番号(公開出願番号):特開2001-127046
出願日: 1999年10月29日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【課題】 対向電極の温度分布が均一化し,かつ対向電極の温度上昇が抑制される,プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置1は,ウェハWが載置される下部電極31と,プラズマ空間711を挟んで下部電極31に対向配置される上部電極51と,熱伝達を利用して上部電極51を冷却する冷却板53と,を備えている。上部電極51と冷却板53とは,その内側領域(515,535)において第1ねじ91によって相互固定されている。第1ねじ91は,冷却板53を上面側から下面側に貫通し上部電極51に上面側から挿入されて上部電極51下面に露出せずに,上部電極51と冷却板53とを相互固定する。かかる構成を有するプラズマ処理装置1では,上部電極51と冷却板53との間におけるすき間の形成が防止され,上部電極51の温度分布の均一化および温度上昇が抑制される。
請求項(抜粋):
被処理体が載置される下部電極と,前記下部電極に対向配置される上部電極と,前記上部電極の上に配置され熱伝達により前記上部電極を冷却する冷却板とを備え,前記上部電極または前記下部電極の少なくとも一方には高周波電源が接続されており,前記上部電極と前記冷却板とには処理ガスを導入するガス孔が形成されている,プラズマ処理装置であって:前記ガス孔以外のところで前記冷却板の上から前記上部電極の途中まで挿入されて,前記上部電極と前記冷却板とを相互固定する固定手段を備えることを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H05H 1/46
FI (3件):
H01L 21/31 C
, H05H 1/46 M
, H01L 21/302 C
Fターム (6件):
5F004BA04
, 5F004BB32
, 5F045DP03
, 5F045EB02
, 5F045EH13
, 5F045EJ05
引用特許: