特許
J-GLOBAL ID：200903030905551134
成形される領域と成形型のパターンとの間の接着を低減させる方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-517254
公開番号（公開出願番号）：特表2006-528088
出願日： 2004年06月10日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
本発明は、基板上の成形される領域と、この成形される領域と選択的に接触させられる成形型のパターンとの間の接着を低減させる方法を提供する。本方法は、成形される材料を基板上に形成する工程と、この成形される材料を表面と接触させる工程を特徴とする。この成形される材料から調整された層が形成される。この調整された層は第1と第2の部分を有し、第1の部分が固化させられ、第2の部分が表面に関する第1の親和性と第1の部分に関する第2の親和性を有する。第1の親和性は第2の親和性よりも大きい。この様式で、調整された層から成形型を分離すると、第2の部分のサブセットが成形型との接触を維持し、それにより、調整された層に形成されたパターンが不良品になる確率を下げる。
請求項（抜粋）：
基板とパターン化領域を表面に有する成形型との間の接着力を下げる方法であって、
成形される材料を前記基板上に形成する工程と、
前記成形される材料を前記表面と接触させる工程と、
第1と第2の部分を有する前記成形される層から、調整された層を形成する工程とを含み、前記第1の部分が固化させられ、前記第2の部分が前記表面に関する第1の親和性と前記第1の部分に関する第2の親和性を有し、その際、前記第1の親和性が前記第2の親和性よりも大きい方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4F202AA21L
, 4F202AF01
, 4F202AG05
, 4F202AH33
, 4F202AJ11
, 4F202CA30
, 4F202CB01
, 4F202CD22
, 4F202CM43
, 4F202CM47
, 4F202CM84
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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