レーザアニーリング方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田澤博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-285471
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148423
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】均一な結晶性のポリシリコン層を形成できるレーザアニーリング方法を得ることを目的とする。【構成】ビーム整形光学系27,28により、レーザ発振器21から放射されたレーザビームのビーム断面形状を整形して、ビーム断面形状が長方形状であってその長手方向において基板31のアモルファスシリコン膜上の被ポリシリコン化部の縦方向及び横方向のいずれか一方よりも長い長さを有する線状レーザビームを生成する。そして、線状レーザビームを該レーザビームの幅方向に被ポリシリコン化部上を相対的に移動させて照射し、被ポリシリコン化部の全域を照射する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたアモルファスシリコン膜をレーザ照射によりポリシリコン化するレーザアニーリング方法において、レーザ発振器から放射されたレーザビームのビーム断面形状を整形して、ビーム断面形状が長方形状であり、且つその長手方向において前記アモルファスシリコン膜上の被ポリシリコン化部の縦方向及び横方向のいずれか一方の長さよりも長い長さを有する線状レーザビームを生成する線状ビーム生成ステップと、前記線状レーザビームを該レーザビームの幅方向に前記被ポリシリコン化部上を相対的に移動させて照射し、前記被ポリシリコン化部の全域を照射する照射ステップとを含むことを特徴とするレーザアニーリング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , G02B 5/32 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268

引用特許：

審査官引用 (8件)

ドライブ回路TFTの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-342109 出願人：カシオ計算機株式会社
特開平3-286518
レーザアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193716 出願人：株式会社日立製作所

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