高周波導入部材及びプラズマ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-084044
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284299
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】高周波バイアスに対する対向電極としても機能しプラズマ装置の設計の自由度向上に寄与し得る高周波導入部材を提供すること。【解決手段】本発明は、減圧容器12の外部に配置されたアンテナ28から放出される高周波電磁界を前記減圧容器12内に導入すべく前記減圧容器12の一部として設けられる高周波導入部材16において、誘電体材料からなる高周波導入部材本体18と、前記高周波導入部材本体18の一面に設けられたチタン薄膜のような導電性薄膜22とを有することを特徴としている。このような導電性薄膜22を設けたことで、高周波導入部材16が電極としても機能し、大きな電極面積比を持つことができる。その結果、ドライエッチング装置10に適用した場合、エッチング速度や選択比等を向上させることができ、また、容器内面のスパッタが抑制される。

請求項（抜粋）：

減圧容器の外部に配置されたアンテナから放出される高周波電磁界を前記減圧容器内に導入すべく前記減圧容器の一部として設けられる高周波導入部材であって、誘電体材料からなる高周波導入部材本体と、前記高周波導入部材本体の一面に設けられた導電性薄膜とを有することを特徴とする高周波導入部材。

IPC (5件)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H05H 1/46 L , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-184321 出願人：アネルバ株式会社
プラズマ装置およびプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-345822 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平1-140600

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