特許
J-GLOBAL ID：200903031098281779

半導体ウェーハの製造方法

発明者：
原田 晴司

原田 晴司 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002910
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196341
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 高平坦度化が図れ、しかもウェーハ表面の研磨量、引いては全加工取り代を減少させる半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 仕上げ両頭研削工程で、シリコンウェーハの表裏両面を低ダメージ用の研削砥石を用いて低ダメージ研削する。これにより、ウェーハ表裏面が高平坦度となる。その後、裏面軽ラップ工程でウェーハ裏面を梨地面とし、次のアルカリ軽エッチ工程でアルカリ性エッチング液により軽エッチする。よって、この高平坦度状態はエッチ後も維持され、後の鏡面研磨工程での研磨量が減少し、製品は高平坦度ウェーハとなる。また、これらの比較的加工ダメージが小さく加工取り代も少ない工程でウェーハを製造するので、ウェーハの全加工取り代も減少させることができる。
請求項（抜粋）：
スライスされた半導体ウェーハの表裏両面に同時に研削を施す両頭研削工程と、両頭研削工程の後、半導体ウェーハの裏面に軽くラッピング加工を施して、半導体ウェーハの裏面を梨地面とする裏面軽ラップ工程と、裏面軽ラップ工程の後、アルカリ性エッチング液により半導体ウェーハを軽くエッチングするアルカリ軽エッチ工程と、アルカリ軽エッチ工程の後、半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する鏡面研磨工程とを備えた半導体ウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306
FI (5件)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 621 A ,  H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/306 B
Fターム (4件)：
5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD16 ,  5F043FF07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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