薄膜トランジスタおよびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051236
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333951
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 LDD(低濃度ドレイン)構造を有する特性の優れた結晶性シリコン薄膜トランジスタ(TFT)および、そのようなTFTを製造する方法を提供する。【構成】アモルファスシリコン膜に触媒元素をイオン注入等の手段で不純物領域に導入し、これをガラス基板の歪み温度以下の温度で結晶化させ、さらに、ゲイト絶縁膜、ゲイト電極を形成し、自己整合的に不純物を注入してLDDを形成する。さらに、ゲイト電極を陽極酸化した後、再び、不純物を導入して、ソース、ドレインを形成する。その後、基板の歪み温度よりも低い温度でアニールしてドーピング不純物の活性化をおこなう。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された薄膜状の非単結晶半導体被膜と、その上に形成されたゲイト電極を有し、該非単結晶半導体被膜中には、1×1015cm-3もしくはそれ以上、かつ2×1019cm-3未満の濃度の結晶化触媒元素を有し、また、該非単結晶半導体膜は、ソース領域と活性領域、およびドレイン領域と活性領域の間に低濃度不純物領域を有し、かつ、該ゲイト電極はその周囲に陽極酸化物を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 29/78 311 P , H01L 21/265 Q , H01L 29/78 311 S , H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229120 出願人：沖電気工業株式会社
絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-238712 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-206969

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