量子効果装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-230837
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097398
出願日： 1994年09月27日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】急峻な量子ポテンシャル障壁を有する量子細線または量子ドットアレイを実現し、安定した構造によりシリコンベースの広範な応用範囲を有する量子効果装置を提供する。【構成】 n型半導体量子細線または量子ドットを多孔質半導体のポテンシャル障壁で挟む構造を形成する。また、多孔質半導体障壁を酸化することにより面内で半導体量子細線またはドットを半導体酸化膜からなる障壁層、多孔質半導体酸化膜からなる障壁層で囲む2重障壁構造を有する量子効果装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に、量子効果を呈する程に微細に形成された量子細線或いは量子ドットと、この量子細線或いは量子ドットの界面に形成された多孔質半導体とを具備することを特徴とする量子効果装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-060127
微構造体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-056680 出願人：松下電器産業株式会社
半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-042771 出願人：株式会社東芝

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