特許

J-GLOBAL ID：200903031171101610

ポジ型レジスト材料

発明者： 田中 啓順 ,  中村 二朗 ,  河合 義夫 ,  松田 維人 ,  石原 俊信
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-130829
公開番号（公開出願番号）：特開平7-319163
出願日： 1994年05月23日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた高エネルギー線露光用ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】 ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルメチルオキシ基で置換された樹脂、1分子中に2個以上のt-ブチル基を含む溶解阻害剤、一般式(化1):(R)nAM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはp-トルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示す。nは2あるいは3を示す)で表されるオニウム塩、及び窒素含有化合物を含有するアルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジスト材料。【効果】 露光部と未露光部の溶解速度比が大きくでき、高解像性のパタンが形成できる。

請求項（抜粋）：

ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルメチルオキシ基で置換された樹脂、1分子中に2個以上のt-ブチル基を含む溶解阻害剤、及び一般式(化1):(R)nAM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはp-トルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示す。nは2あるいは3を示す)で表されるオニウム塩の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストが、更に窒素含有化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (3件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (4件)

• パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-100310   出願人：株式会社東芝
• パタン形成材料及びそれを用いたパタン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-090609   出願人：株式会社日立製作所
• レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-125006   出願人：株式会社東芝
• 感光性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-203763   出願人：株式会社東芝